DPS
Drejtoria e Përgjithshme e Standardizimit
Tel/Cel: +355 4 222 62 55
E-mail: info@dps.gov.al
Adresa: Rr.: "Reshit Collaku", (pranë ILDKPKI, kati VI), Kutia Postare 98, Tiranë - Shqipëri
Main menu

Projects

Use the form below to find the searched projects. Enter your criteria for searching (single or in combination) in the fields below and press the button “Search”.

Pajisje gjysëmpërçuese - Pajisje diskrete - Pjesa 4: Dioda dhe tranzistorë me mikrovalë

60.60 Standard published

DPS/KT 7 më tepër

Amendament 1 - Pajisje gjysmëpërçuese - Pajisje diskrete - Pjesa 4: Dioda dhe tranzistorë me mikrovalë

60.60 Standard published

DPS/KT 7 më tepër

Pajisje gjysëmpërçuese - Pajisje diskrete - Pjesa 7: Tranzistorë bipolar

60.60 Standard published

DPS/KT 7 më tepër

Pajisje gjysëmpërçuese - Pajisje diskrete - Pjesa 8: Tranzistorë me efekt fushe

60.60 Standard published

DPS/KT 7 më tepër

Pajisje gjysëmpërçuese - Pajisje diskrete - Pjesa 9: Tranzistorët bipolar me porta të izoluara (IGBT)

60.60 Standard published

DPS/KT 7 më tepër

Amendamenti 1 – Pajisje gjysmëpërçuese - Pajisjet diskrete - Pjesa 8: Transistorët me efekt në terren

60.60 Standard published

DPS/KT 7 më tepër

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors

60.60 Standard published

TC 47/SC 47E më tepër

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors

60.60 Standard published

TC 47/SC 47E më tepër

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors

60.60 Standard published

TC 47/SC 47E më tepër

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors

60.60 Standard published

TC 47/SC 47E më tepër

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

60.60 Standard published

TC 47/SC 47E më tepër

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

60.60 Standard published

TC 47/SC 47E më tepër

Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

60.60 Standard published

TC 47/SC 47E më tepër

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)

60.60 Standard published

TC 47 më tepër

Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET

60.60 Standard published

TC 47 më tepër

Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors

60.60 Standard published

TC 47 më tepër

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

60.60 Standard published

TC 47 më tepër

Printed electronics - Part 503-1: Quality assessment - Test method of displacement current measurement for printed thin-film transistor

60.60 Standard published

TC 119 më tepër