SSH IEC 63068-2:2019 ED1

Pajisje gjysmëpërçuese - Kriteret e njohjes jo-shkatërruese të defekteve në vaferën homoepitaksiale të karbitit të silikonit për pajisjet e energjisë - Pjesa 2: Metoda e provës për defektet duke përdorur inspektimin optik

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection

Scope

IEC 63068-2: 2019 (E) ofron përkufizime dhe udhëzime në përdorimin e inspektimit optik për zbulimin e defekteve të rritura në vaferat epitaksiale 4H-SiC (Silicon Carbide) të disponueshme në treg. Për më tepër, ky dokument ilustron imazhet optike për të mundësuar zbulimin dhe kategorizimin e defekteve për vaferat homoepitaksiale SiC. Ky dokument trajton një metodë testimi jo-shkatërruese për defektet, në mënyrë që metodat destruktive, si p.sh. gravimi preferencial, të jenë jashtë objektit të këtij dokumenti.